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简述
BP87526 是一款高性能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激原边驱动芯片 。内置 650V 高压 MOSFET ,集成高压启动、高压辅助供电电路 ,适用于高效率、小体积、高可靠性、宽输出电压规模的 35~55W 反激变换器应用 。 BP87526 支持自顺应 COT 控制方法 ,吸收息争调配对的副边控制器发送到原边的脉冲信号 ,同时检测原边漏极电压谷底 ,控制原边功率管的开通 ,实现较高的效率 。
优势

    内置650V 高压 MOSFET

    集成高压启动

    150 V 辅助供电耐压 ,知足宽输出电压规模

    自顺应 COT 控制 ,快速的动态响应

    磁耦通讯实现超低待机功耗 ,<30 mW

    QR 谷底开通 ,优化效率和 EMI 特征

    最高可达 140 kHz 开关频率

    知足 LPS (Limit Power Source) 安规要求

    完整的;すπ

应用领域
  • USB PD、QC 充电器
  • 可编程 AC/DC 充电器
  • 条记本电脑适配器
典范应用原理图
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封装
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手艺文档
文档类型 问题 类型 文件下载
规格书 BP87526 pdf 浅易版 完整版
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