THD<20%
650V 高压 MOS 管
多芯片并联使用时可节约跳线电阻
外围电路很是简朴 ，驱动器体积很是小
无需电解电容和磁性元件
母线电压转变±20%仍可事情
超快 LED 启动
LED 电流可外部设定
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